• 超辐射发光二极管

• 激光bar条

• 雪崩光电探测器

• 光电探测器

• 1.3微米量子点激光器

• 磷化铟（InP）1250nm~1600nm/>2.0um (InGaAs absorptive layer)；<1.4μm (InGaAsP absorptive layer)

• 砷化镓（GaAs）<870nm (GaAs absorptive layer)

• 砷化镓（GaAs）650nm, 850nm, 850~1100nm